TPS51116RGER 全套 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 電源解決方案同步降壓控制器、3A LDO
產品型號：TPS51116RGER
產品品牌：TI/德州儀器
產品封裝：QFN24
產品功能：多通道 IC (PMIC)
TPS51116RGER特征
●同步降壓控制器 (VDDQ)
●寬輸入電壓范圍: 3.0V 至 28V
●負載階躍響應為 100ns 的 D−CAP™ 模式
●電流模式選項支持陶瓷輸出電容器
●支持 S4/S5 狀態(tài)內的軟關閉
●利用RDS(on) 或電阻器進行電流檢測
2.5V (DDR)、1.8V (DDR2)，可調節(jié)至
1.5V (DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.2V（LPDDR3 和 DDR4）或
●輸出范圍 0.75V 至 3.0V
●配備有電源正常、過壓保護和欠壓保護
●3A LDO (VTT)，經緩沖基準 (VREF)
●拉電流和灌電流的能力達到 3A
●提供 LDO 輸入以優(yōu)化功率損耗
●只需 20µF 陶瓷輸出電容器
●經緩沖的低噪聲 10mA VREF 輸出
●針對 VREF 和 VTT 的 ±20mV 精度
●在 S3 中支持高阻抗 (high-Z)，在 S4/S5 中支持軟關閉
●熱關斷
TPS51116RGER說明
TPS51116 提供一個用于 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內存系統(tǒng)的完整電源。它集成了一個具有 3A 拉電流/灌電流跟蹤線性穩(wěn)壓器和經緩沖的低噪聲基準的同步降壓控制器。該器件在空間受限的系統(tǒng)中提供最低的總解決方案成本。同步控制器運行具有自適應接通時間控制的定頻 400kHz、偽恒定頻率脈寬調制 (PWM)，此控制可在 D-CAP 中配置™易于使用和最快瞬態(tài)響應或者電流模式以支持陶瓷輸出電容器。3A 拉電流/灌電流 LDO 只需 20µF (2 × 10µF) 陶瓷輸出電容器即可保持快速瞬態(tài)響應。此外，LDO 電源輸入是外部可用的，這樣可大大減少總體功耗。該器件支持所有睡眠狀態(tài)控制，此類控制在 S3（掛起到 RAM）中將 VTT 置于 high-Z 狀態(tài)并且在 S4/S5（掛起到硬盤）中將 VDDQ、VTT 和 VTTREF（軟關閉）放電。該器件還具有全部保護 特性， 包括熱關斷保護，并且提供 20 引腳 HTSSOP PowerPAD™封裝和 24 引腳 4 × 4 QFN 封裝。
